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IRLI620GPBF中文资料

IRLI620GPBF图片

IRLI620GPBF外观图

  • 大小：1415.79KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 数据列表：IRLI620GPBF
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫欧 @ 2.4A，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：360pF @ 25V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
  • 供应商设备封装：TO-220-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRLI620GPBF

IRLI620GPBF供应商

更新时间:2023-01-11 16:07:28
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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